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主推草根艺人的YY音乐是怎样挣钱的?

来源:新华网 静官铁标晚报

在3D闪存领域,三星已经连续推出两代立体堆叠闪存,分别有24层、32层,并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品。 万万没想到的是,全球第一个48层堆叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢了去。 不过三星也不是吃素的,今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。没错,这是第三代了。 从直观层面来讲,三星比东芝良心(忽视售价)表现在MLC颗粒以及量产能力上,毕竟东芝的说法是,我们已经准备好量产了,而三星在继续使用现有设备的情况下,三代的生产效率还提升了40%! 与容量为128Gb的传统NAND相比,三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32GB(256Gb)之外,新的芯片还能轻松地翻倍提升现有SSD的存储容量,轻松TB级别,这可是三星的优势。 据悉,在新一代V-NAND闪存中,每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层,利用其特殊的蚀刻技术,通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit,一共能存储2,560亿位的数据,换句话说,就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。 与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比,当存储相同容量的数据时,一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30% 。 当然,消费级我们是见不到了,这都是企业、数据中心用的。 351 621 804 109 934 292 14 805 271 983 476 693 860 926 786 756 829 517 414 339 848 391 560 36 450 846 587 81 197 478 553 269 87 782 130 332 665 954 371 61 690 832 21 480 811 42 799 199 966 428

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